IGP01N120H2XKSA1

IGP01N120H2XKSA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1.2 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    3.2 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    3.5 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 1A
  • effekt - max
    28 W
  • skifte energi
    140µJ
  • input type
    Standard
  • portladning
    8.6 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    13ns/370ns
  • test tilstand
    800V, 1A, 241Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-220-3
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO220-3

IGP01N120H2XKSA1 Anmode om et tilbud

På lager 37171
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.55000
Mål pris:
Total:0.55000

Datablad