IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

DISCRETE IGBT WITH DIODE

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1.2 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    9.6 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    9.9 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 3A
  • effekt - max
    62.5 W
  • skifte energi
    290µJ
  • input type
    Standard
  • portladning
    22 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    9.2ns/281ns
  • test tilstand
    800V, 3A, 82Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    42 ns
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO247-3

IKW03N120H2FKSA1 Anmode om et tilbud

På lager 15545
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.37000
Mål pris:
Total:1.37000

Datablad