IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    100 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    20A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    50mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 20µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1.09 pF @ 50 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    44W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO263-3-2
  • pakke/etui
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB50CN10NGATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 39321
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.52000
Mål pris:
Total:0.52000

Datablad