IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    OptiMOS™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    55 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    80A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    6.3mOhm @ 68A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 180µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    110 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    3.4 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    250W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO263-3-2
  • pakke/etui
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S207ATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 31647
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.65000
Mål pris:
Total:0.65000

Datablad