IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolMOS™ E6
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    600 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    7.3A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    600mOhm @ 2.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 200µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    20.5 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    440 pF @ 100 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    63W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    TO-252
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R600E6ATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 39324
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.52000
Mål pris:
Total:0.52000

Datablad