specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N and P-Channel
• fet funktion
  Logic Level Gate
• dræn til kildespænding (vdss)
  20V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  5.2A, 4.3A
• rds på (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  660pF @ 15V
• effekt - max
  2W
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• pakke/etui
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• leverandørens enhedspakke
  8-SO