specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  20 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  2.7V, 4.5V
• rds på (max) @ id, vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±12V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  650 pF @ 15 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  2.5W (Ta)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  8-SO
• pakke/etui
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)