IRF7834PBF

IRF7834PBF

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    19A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    -
  • rds på (max) @ id, vgs
    4.5mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.25V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    44 nC @ 4.5 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    3710 pF @ 15 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    2.5W (Ta)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    8-SO
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7834PBF Anmode om et tilbud

På lager 37184
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.55000
Mål pris:
Total:0.55000

Datablad