specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Tube
• del status
  Obsolete
• fet type
  2 P-Channel (Dual)
• fet funktion
  Logic Level Gate
• dræn til kildespænding (vdss)
  30V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  9.2A
• rds på (max) @ id, vgs
  16.3mOhm @ 9.2A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.4V @ 25µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  38nC @ 10V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  1740pF @ 25V
• effekt - max
  2W
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• pakke/etui
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• leverandørens enhedspakke
  8-SO