specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Tube
• del status
  Obsolete
• fet type
  2 N-Channel (Dual)
• fet funktion
  Logic Level Gate
• dræn til kildespænding (vdss)
  20V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  10A, 12A
• rds på (max) @ id, vgs
  13.4mOhm @ 10A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.55V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  11nC @ 4.5V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  900pF @ 10V
• effekt - max
  2W
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• pakke/etui
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• leverandørens enhedspakke
  8-SO