specifikationer

• serie
  HEXFET®
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  200 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  43A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  -
• rds på (max) @ id, vgs
  54mOhm @ 26A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  91 nC @ 10 V
• vgs (max)
  -
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  -
• Driftstemperatur
  -
• monteringstype
  Through Hole
• leverandørens enhedspakke
  TO-262
• pakke/etui
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA