IRFW630BTM-FP001

IRFW630BTM-FP001

Fabrikant

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)
  • del status
    Not For New Designs
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    200 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    9A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    400mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    29 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    720 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    3.13W (Ta), 72W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    D²PAK (TO-263AB)
  • pakke/etui
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFW630BTM-FP001 Anmode om et tilbud

På lager 33691
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.60903
Mål pris:
Total:0.60903

Datablad