NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    -
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    600 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    20 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • effekt - max
    72 W
  • skifte energi
    412µJ (on), 140µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    53 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    48ns/120ns
  • test tilstand
    300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    90 ns
  • Driftstemperatur
    175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • leverandørens enhedspakke
    DPAK

NGTB10N60R2DT4G Anmode om et tilbud

På lager 35349
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.58000
Mål pris:
Total:0.58000

Datablad