NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    60 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.2V @ 15V, 30A
  • effekt - max
    300 W
  • skifte energi
    200µJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    135 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    -/145ns
  • test tilstand
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    430 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247-3

NGTB30N65IHL2WG Anmode om et tilbud

På lager 14138
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.27000
Mål pris:
Total:2.27000

Datablad