specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Bulk
• del status
  Obsolete
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  30 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  4.9A (Ta)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  4.5V, 10V
• rds på (max) @ id, vgs
  38mOhm @ 4.9A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  9.1 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  462 pF @ 24 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  1.3W (Ta)
• Driftstemperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  Surface Mount
• leverandørens enhedspakke
  ChipFET™
• pakke/etui
  8-SMD, Flat Lead