NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

P-CHANNEL POWER MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N and P-Channel
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    5.2A, 3.4A
  • rds på (max) @ id, vgs
    43mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    20nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1100pF @ 10V
  • effekt - max
    2W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • leverandørens enhedspakke
    8-SOIC

NTMD2C02R2G Anmode om et tilbud

På lager 27919
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.37000
Mål pris:
Total:0.37000

Datablad