SPD03N50C3ATMA1

SPD03N50C3ATMA1

Fabrikant

Rochester Electronics

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    CoolMOS™
  • pakke
    Bulk
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    500 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    3.2A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.9V @ 135µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    15 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    350 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    38W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PG-TO252-3-1
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPD03N50C3ATMA1 Anmode om et tilbud

På lager 20925
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.50000
Mål pris:
Total:0.50000

Datablad