specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Bulk
• del status
  Active
• fet type
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet funktion
  Silicon Carbide (SiC)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200V (1.2kV)
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  204A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 35.2mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  23000pF @ 10V
• effekt - max
  1130W
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• monteringstype
  -
• pakke/etui
  Module
• leverandørens enhedspakke
  Module