specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Tray
• del status
  Active
• fet type
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200 V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  400A (Tc)
• drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
  -
• rds på (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (max)
  +22V, -4V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• fet funktion
  -
• strømtab (maks.)
  1570W (Tc)
• Driftstemperatur
  175°C (TJ)
• monteringstype
  Chassis Mount
• leverandørens enhedspakke
  Module
• pakke/etui
  Module