QS8M12TCR

QS8M12TCR

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Not For New Designs
  • fet type
    N and P-Channel
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4A
  • rds på (max) @ id, vgs
    42mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    3.4nC @ 5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    250pF @ 10V
  • effekt - max
    1.5W
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SMD, Flat Lead
  • leverandørens enhedspakke
    TSMT8

QS8M12TCR Anmode om et tilbud

På lager 30155
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.34293
Mål pris:
Total:0.34293

Datablad