R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Obsolete
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    600 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    35A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    102mOhm @ 18.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    110 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2720 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    120W (Tc)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247
  • pakke/etui
    TO-247-3

R6035ENZ1C9 Anmode om et tilbud

På lager 10310
Antal:
Enhedspris (referencepris):
5.33000
Mål pris:
Total:5.33000

Datablad