RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 190V 10A TO252

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    190 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    10A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    4V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    182mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    52 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2000 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    85W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    TO-252
  • pakke/etui
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RD3S100CNTL1 Anmode om et tilbud

På lager 15574
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.04000
Mål pris:
Total:2.04000

Datablad