RGC80TSX8RGC11

RGC80TSX8RGC11

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    1800 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    80 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    5V @ 15V, 40A
  • effekt - max
    535 W
  • skifte energi
    1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    468 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    80ns/565ns
  • test tilstand
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247N

RGC80TSX8RGC11 Anmode om et tilbud

På lager 7053
Antal:
Enhedspris (referencepris):
8.22000
Mål pris:
Total:8.22000