RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    8 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    12 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • effekt - max
    65 W
  • skifte energi
    -
  • input type
    Standard
  • portladning
    13.5 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    17ns/69ns
  • test tilstand
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    40 ns
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • leverandørens enhedspakke
    TO-262

RGT8NS65DGC9 Anmode om et tilbud

På lager 11815
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.84000
Mål pris:
Total:1.84000