RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    144 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    320 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 80A
  • effekt - max
    404 W
  • skifte energi
    2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    171 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    45ns/201ns
  • test tilstand
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    -
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-247N

RGTVX6TS65GC11 Anmode om et tilbud

På lager 8512
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.59000
Mål pris:
Total:6.59000

Datablad