RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    40 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    39A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    7.2mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    11.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1450 pF @ 20 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    20W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    8-HSMT (3.2x3)
  • pakke/etui
    8-PowerVDFN

RQ3G150GNTB Anmode om et tilbud

På lager 17914
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.17000
Mål pris:
Total:1.17000

Datablad