RQ3L090GNTB

RQ3L090GNTB

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    9A (Ta), 30A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    4.5V, 10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    13.9mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.7V @ 300µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    24.5 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1260 pF @ 30 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    2W (Ta)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    8-HSMT (3.2x3)
  • pakke/etui
    8-PowerVDFN

RQ3L090GNTB Anmode om et tilbud

På lager 15831
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.34000
Mål pris:
Total:1.34000