STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

Fabrikant

STMicroelectronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    120 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 80A
  • effekt - max
    469 W
  • skifte energi
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    414 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    84ns/280ns
  • test tilstand
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    85 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-3P-3, SC-65-3
  • leverandørens enhedspakke
    TO-3P

STGWT80H65DFB Anmode om et tilbud

På lager 8315
Antal:
Enhedspris (referencepris):
6.66000
Mål pris:
Total:6.66000

Datablad