STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2

Fabrikant

STMicroelectronics

Produktkategori

transistorer - igbts - single

Beskrivelse

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    M
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • igbt type
    NPT, Trench Field Stop
  • spænding - kollektor emitter nedbrud (max)
    650 V
  • strøm - samler (ic) (maks.)
    160 A
  • strøm - kollektor pulseret (icm)
    360 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 120A
  • effekt - max
    625 W
  • skifte energi
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • input type
    Standard
  • portladning
    420 nC
  • td (til/fra) ved 25°c
    66ns/185ns
  • test tilstand
    400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • omvendt restitutionstid (trr)
    202 ns
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • pakke/etui
    TO-247-3 Exposed Pad
  • leverandørens enhedspakke
    MAX247™

STGYA120M65DF2 Anmode om et tilbud

På lager 5167
Antal:
Enhedspris (referencepris):
11.69000
Mål pris:
Total:11.69000

Datablad