TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Fabrikant

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

Produktkategori

hukommelse

Beskrivelse

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    Benand™
  • pakke
    Tray
  • del status
    Active
  • hukommelsestype
    Non-Volatile
  • hukommelsesformat
    FLASH
  • teknologi
    FLASH - NAND (SLC)
  • hukommelsesstørrelse
    4Gb (512M x 8)
  • hukommelsesgrænseflade
    Parallel
  • ur frekvens
    -
  • skrive cyklus tid - ord, side
    25ns
  • adgangstid
    25 ns
  • spænding - forsyning
    1.7V ~ 1.95V
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    67-VFBGA
  • leverandørens enhedspakke
    67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 Anmode om et tilbud

På lager 7236
Antal:
Enhedspris (referencepris):
4.74000
Mål pris:
Total:4.74000

Datablad