TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

Fabrikant

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N CH 60V 100A TO-220

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    U-MOSVIII-H
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    100A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 1mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    140 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    10500 pF @ 30 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    255W (Tc)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220
  • pakke/etui
    TO-220-3

TK100E06N1,S1X Anmode om et tilbud

På lager 12340
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.62000
Mål pris:
Total:2.62000

Datablad