TK17E65W,S1X

TK17E65W,S1X

Fabrikant

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    DTMOSIV
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    650 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    17.3A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    200mOhm @ 8.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 900µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    45 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1800 pF @ 300 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    165W (Tc)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220
  • pakke/etui
    TO-220-3

TK17E65W,S1X Anmode om et tilbud

På lager 12383
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.59380
Mål pris:
Total:2.59380

Datablad