TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

Fabrikant

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    U-MOSVIII-H
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    100 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    17A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    16mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 200µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    19 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1600 pF @ 50 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    700mW (Ta), 42W (Tc)
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • pakke/etui
    8-PowerVDFN

TPN1600ANH,L1Q Anmode om et tilbud

På lager 21967
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.95000
Mål pris:
Total:0.95000

Datablad