IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    -
  • pakke
    Tube
  • del status
    Active
  • fet type
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    800 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4.1A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    10V
  • rds på (max) @ id, vgs
    3Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    78 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1300 pF @ 25 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    125W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Through Hole
  • leverandørens enhedspakke
    TO-220AB
  • pakke/etui
    TO-220-3

IRFBE30PBF Anmode om et tilbud

På lager 15602
Antal:
Enhedspris (referencepris):
2.04000
Mål pris:
Total:2.04000

Datablad