SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    370mA
  • rds på (max) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    1.4nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    18.5pF @ 30V
  • effekt - max
    510mW
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • leverandørens enhedspakke
    SC-70-6 (SOT-363)

SI1926DL-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 24249
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.43000
Mål pris:
Total:0.43000

Datablad