SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    P-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    2.2A (Ta)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    2.5V, 4.5V
  • rds på (max) @ id, vgs
    100mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    950mV @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    10 nC @ 4.5 V
  • vgs (max)
    ±8V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    375 pF @ 6 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    700mW (Ta)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    SOT-23-3 (TO-236)
  • pakke/etui
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2301BDS-T1-E3 Anmode om et tilbud

På lager 24789
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.42000
Mål pris:
Total:0.42000

Datablad