SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    2A
  • rds på (max) @ id, vgs
    125mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    4nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    -
  • effekt - max
    830mW
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • leverandørens enhedspakke
    6-TSOP

SI3900DV-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 20409
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.02000
Mål pris:
Total:1.02000

Datablad