SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    N and P-Channel
  • fet funktion
    Logic Level Gate
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    4A, 3.7A
  • rds på (max) @ id, vgs
    55mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    4.2nC @ 5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    285pF @ 10V
  • effekt - max
    3.1W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-SMD, Flat Lead
  • leverandørens enhedspakke
    1206-8 ChipFET™

SI5513CDC-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 31658
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.65000
Mål pris:
Total:0.65000

Datablad