SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET® Gen III
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 P-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    20.1mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    42nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2565pF @ 10V
  • effekt - max
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® 1212-8 Dual

SIS903DN-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 20318
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.03000
Mål pris:
Total:1.03000

Datablad