SISF20DN-T1-GE3

SISF20DN-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET® Gen IV
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    60V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    14A (Ta), 52A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    13mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    33nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1290pF @ 30V
  • effekt - max
    5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    PowerPAK® 1212-8SCD
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® 1212-8SCD

SISF20DN-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 12903
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.67000
Mål pris:
Total:1.67000