SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - single

Beskrivelse

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    P-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • dræn til kildespænding (vdss)
    20 V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    15.4A (Ta), 25A (Tc)
  • drevspænding (max rds tændt, min rds tændt)
    1.8V, 4.5V
  • rds på (max) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    93.8 nC @ 8 V
  • vgs (max)
    ±8V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2760 pF @ 10 V
  • fet funktion
    -
  • strømtab (maks.)
    3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® 1212-8SH
  • pakke/etui
    PowerPAK® 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 22312
Antal:
Enhedspris (referencepris):
0.93000
Mål pris:
Total:0.93000