SIZF906BDT-T1-GE3

SIZF906BDT-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET® Gen IV
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    49nC @ 10V, 165nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
  • effekt - max
    4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-PowerWDFN
  • leverandørens enhedspakke
    8-PowerPair® (6x5)

SIZF906BDT-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 12419
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.73000
Mål pris:
Total:1.73000