SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    TrenchFET® Gen IV
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    30V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    60A (Tc)
  • rds på (max) @ id, vgs
    3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
  • effekt - max
    38W (Tc), 83W (Tc)
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    8-PowerWDFN
  • leverandørens enhedspakke
    8-PowerPair® (6x5)

SIZF906DT-T1-GE3 Anmode om et tilbud

På lager 12334
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.75000
Mål pris:
Total:1.75000

Datablad