SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Fabrikant

Vishay / Siliconix

Produktkategori

transistorer - fets, mosfets - arrays

Beskrivelse

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

e-mail med tilbud: [email protected] or Spørg online

specifikationer

  • serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pakke
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • del status
    Active
  • fet type
    2 N-Channel (Dual)
  • fet funktion
    Standard
  • dræn til kildespænding (vdss)
    12V
  • strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
    20A, 60A
  • rds på (max) @ id, vgs
    6.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    22nC @ 10V
  • input kapacitans (ciss) (max) @ vds
    975pF @ 6V
  • effekt - max
    27W, 48W
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • monteringstype
    Surface Mount
  • pakke/etui
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • leverandørens enhedspakke
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SQJ202EP-T1_GE3 Anmode om et tilbud

På lager 16855
Antal:
Enhedspris (referencepris):
1.26000
Mål pris:
Total:1.26000

Datablad