specifikationer

• serie
  -
• pakke
  Box
• del status
  Active
• fet type
  2 N-Channel (Dual)
• fet funktion
  Silicon Carbide (SiC)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200V
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  395A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  5.3mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 92mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  908nC @ 15V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  2450pF @ 800V
• effekt - max
  -
• Driftstemperatur
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• monteringstype
  Chassis Mount
• pakke/etui
  Module
• leverandørens enhedspakke
  -