specifikationer

• serie
  Z-REC™
• pakke
  Bulk
• del status
  Obsolete
• fet type
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet funktion
  Silicon Carbide (SiC)
• dræn til kildespænding (vdss)
  1200V (1.2kV)
• strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c
  444A (Tc)
• rds på (max) @ id, vgs
  4.3mOhm @ 400A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 105mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  1127nC @ 20V
• input kapacitans (ciss) (max) @ vds
  -
• effekt - max
  3000W
• Driftstemperatur
  175°C (TJ)
• monteringstype
  -
• pakke/etui
  Module
• leverandørens enhedspakke
  Module